意法半导体新推出的SLLIMM™-nano智能功率模块(IPM)引入【rù】新的封装类【lèi】型，并集【jí】成更多元器件，加快300W以下低功率电【diàn】机驱动器【qì】研发【fā】，简化【huà】组装【zhuāng】过【guò】程。

3A和5A 模块内置当前【qián】*********的600V超结【jié】MOSFET，最大限度提升空气【qì】压缩机、风扇【shàn】、泵等设【shè】备的能效。各【gè】种直列引脚或Z形【xíng】引脚封装【zhuāng】有助于优【yōu】化【huà】空间占用率【lǜ】，确【què】保所需【xū】的【de】引脚间距。内部开孔选项【xiàng】让低价散热器的安装更容【róng】易。此外，发射极开路输出【chū】分开【kāi】设计可简【jiǎn】化【huà】PCB板单路或三路Shunt (分流电阻)电流监视走【zǒu】线【xiàn】。

每【měi】个IPM模块都包含由【yóu】六支MOSFET组成的三相半桥和一个高压栅驱动【dòng】芯片。新增功能有【yǒu】助于简化保护电路【lù】和防【fáng】错电路设计，包括一个【gè】用于【yú】检测电流【liú】的未【wèi】使用的【de】运【yùn】放、用【yòng】于高速错误保护电【diàn】路的【de】比较器和用于监视【shì】温度的可选的NTC (负温度系【xì】数)热敏电阻，还集成一个自【zì】举二极管，以降低物料清单(BOM)成本，简化电路【lù】板【bǎn】布局【jú】设【shè】计。智能关断【duàn】电路可保护功率开关管，欠压锁保护(UVLO)预【yù】防低【dī】Vcc或Vboot电【diàn】压【yā】引起的功能失效【xiào】。

超结MOSFET在25°C时通态电阻只有1.0Ω，最大 1.6Ω ，低电容和低栅电荷可最大限度降低通态损耗【hào】和【hé】开关【guān】损耗，从而提升20kHz以【yǐ】下硬开关【guān】电路【lù】的能效，包括【kuò】各种工业电【diàn】机驱动器，准许【xǔ】低功率应用无需【xū】使用【yòng】散热器。此外，优化的开关di/dt和dV/dt上升速率确【què】保【bǎo】EMI干【gàn】扰处【chù】于【yú】一个【gè】较低的级别，可以进一【yī】步简化电路的设【shè】计布局。

新模块的最高额定结温是150°C，取【qǔ】得了UL 1557认证【zhèng】，电【diàn】绝【jué】缘级别高达1500Vrms/min。